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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。开关电源裸板,LED电源裸板,裸板电源,框架式电源。

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电气隔离装置包括压电变压器。在一个实施例中，所述原边功率开关q1包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet，所述功率mosfet具有体二极管和寄生电容。在其他实施例中，所述原边功率开关q1还可以包括其他开关器件，如可以采用bjt、igbt等。在一个实施例中，所述副边开关电路101包括：功率开关器件(如功率mosfet)，该功率开关器件具有体二极管，如图2左图(a)所示；或者所述副边开关电路101包括并联的两个(或多个)开关器件，如图2中间图(b)所示；或者所述副边开关电路101还可以包括并联的二极管和开关器件，如图2右图(c)所示。在一个实施例中，副边开关电路101被导通表示副边开关电路101的全部或者部分开关器件导通(如有二极管或者体二极管导通)，其上流过电流；副边开关电路101被断开，表示副边开关电路101的全部开关器件被断开，其上无电流流过。如在原边功率开关q1被断开后，副边开关电路101执行续流动作时，副边开关电路101的部分或者所有开关器件导通，其上流过具有***电流方向的电流；在续流结束后、原边功率开关q1导通前，副边开关电路101的部分或者所有开关器件被导通一段时间，并流过具有第二电流方向的电流。在一个实施例中。安徽裸板电源维修

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